MOSAID的HLNAND(HyperLink NAND)闪存规格2采用了高速、点对点环形拓扑结构，将固态硬盘数据传输速率提高到每秒数GB范围。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始数据速率和基于DuplexRW(TM)的每通道1600MB/秒数据传输速率，只需要一个内存通道就可使主机接口传输速率超过1GB/秒。相比之下，基于并行总线结构的NAND闪存接口传输速率最高为200MB/秒，而且只有少数设备每个通道都支持。

　　HLNAND的点对点接口降低了负荷，创造了非常干净的产生信号的环境，使开发者能开发有TB级容量的固态硬盘，同时不会降低数据速率。HLNAND的环形拓扑结构还消除了内核端接功耗高这一困扰各种并行总线闪存的问题。

　　MOSAID研发副总裁Jin-Ki Kim表示：“固态硬盘利用HLNAND2接口架构，可实现无与伦比的性能和灵活性。我们预计在2011年晚些时候发布HLNAND2工程样品，使HLNAND2进入到大量的要求更高性能和可扩展性的闪存应用设计中。”

　　解决互连挑战

　　人们对将各种架构的存储系统与计算基础设施相连接的更高速系统互连的需求日益上升。由于基于并行总线结构的NAND闪存接口的严重局限，固态硬盘必须设计有大量的通道，在许多情况下，通过多个闪存控制器和接口芯片进行分配。例如在常常使用多路PCIe接口连接存储硬件的企业系统中，固态硬盘需要多达25至50个通道，连接到两个或更多SATA闪存控制器、额外的RAID控制器以及PCIe主桥，提供系统互连需要的吞吐率。

　　由于互连速度提高，MOSAID的HLNAND闪存接口降低了SSD设计的复杂性，同时提高了容量。凭借高扩展性以及与高速系统互连匹配的操作速度，HLNAND提供了设计各种存储解决方案的更简单的技术，而且不存在并行总线固有的扩展问题。HLNAND2接口与高速互连紧密匹配，因此促进了集成PCIe接口的闪存控制器的开发。这大大降低了闪存通道并行化的需要，摆脱了中间桥器件，因而降低了高扩展性及适合多种应用的高性能控制器的成本。

　　HLNAND2有8位、同步、DDR数据总线，但采用了源同步时钟，因此，运行频率高达400MHz，能够提供高达800MB/秒的吞吐率。其他功能还包括：

　　-- 与2代和3代PCIe等高速系统互连匹配的闪存接口速度

　　-- DuplexRW(TM)：DDR800同步读写，实际数据吞吐率为1600MB/秒，很好地适应了PCIe的双工特性

　　-- 通过自动包截断实现节能

　　-- 命令包内置EDC(错误检测代码)，提供了分组协议通信的最佳可靠性。

　　HLNAND2完整规格可通过 www.hlnand.com 下载。

　　关于HyperLink(HL)NAND闪存

　　HLNAND闪存是一种高性能解决方案，结合了MOSAID自己的HyperLink内存技术与行业标准的NAND闪存单元技术，提供了业内最先进的功能集，达到超过传统闪存10倍的持续I/O带宽。欲了解更多信息，请访问 www.hlnand.com 。

　　Michael Salter
　　投资者关系与企业传播总监
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